一家存储IC设计厂商在昨（7）日法说会上表示，因近期半导体晶圆代工、封测的成本上涨，且需求增加，已经调涨部分利基型DRAM与NOR Flash报价，和合约客户方面报价则将从明年第一季起调涨...

　　据台媒报道，昨（7）日，利基型DRAM和NOR Flash设计大厂——晶豪科（ESMT）在法说会上证实，已将部分利基型DRAM和NOR Flash价格调涨，预估明年可望进一步上调。

　　针对近期产业链涨价议题，晶豪科表示，受惠于宅经济效应，目前第4季的订单需求仍佳。自9月下旬起，晶圆代工产能供不应求，近来晶圆代工与封测成本增加，价格也会相对应调整，现有部分利基型DRAM 产品现货价格已调涨，合约价方面则将从明年第一季起调涨。并表示，若产能吃紧情况短期内无解，不排除在明年第一、二季调涨价格的可能。

　　除利基型DRAM外，晶豪科指出，近来受惠蓝牙耳机等应用带动，NOR Flash市况也很好，价格正向看待，明年也可望进一步涨价。

　　就当前市况，晶豪科表示：“只要逻辑IC在市场大热，specialty就会跟着热。因为除了逻辑IC外，所有电子产品都需要搭配存储使用，只是容量或者其他方面要求不同。加上供应商数量减少，先前一些存储厂陆续将产线转作图像传感器生产或代工，致使供给端产能减少；另外，specialty终端应用需求逐渐回温，下游经销商与终端客户也积极备库存”，是10、11 月超乎预期的主要原因。

　　在韩系SK海力士和三星逐渐减产并淡出后，台系厂商华邦（Winbond）、晶豪科（ESMT）、钰创（Etron）成为specialty DRAM 领域的主要玩家。公开资料显示，晶豪科技股份有限公司 (ESMT) 是IC设计公司，

　　据摩根士丹利证券在近期报告中提及，因供需吃紧，预计利基型DRAM（DDR3 1Gb、2Gb）单位售价11月起涨10％。该机构产业分析师颜志天则修改对此类价格预测为上扬，从原先预估的2021年第1、2季价格小幅衰退同步转为季增2～5％。另外，TrendForce也在月初最新报告称，主流specialty DRAM价格在11月有上涨的迹象，分析是需求增加叠加供应商减少所致，还指出此次情况区别于以往，预计最先上涨的是小容量、小客户的利基型存储。

　　“不过，虽然近期需求上扬，但未出现明显供给告急压力，目前利基性DRAM市况优于NOR。”据了解，晶豪科与力积电为长期供应伙伴，投片订单全数落在力积电。

　　针对中芯国际遭到美国禁制令恐影响对兆易创新的供货一事，晶豪科认为，当前兆易创新正寻求其他产能支援，会遇到成本垫高的问题，“对我们是机会”。关键字：编辑：muyan 引用地址：晶豪科：逻辑IC大热，将带动DRAM和NOR Flash价格调涨

　　据台媒联合报报道，记忆体分销商透露，三星、ＳＫ海力士及美光三大记忆体厂，上季ＤＲＡＭ（动态随机存取记忆体）库存已降至十季以来低点，全球ＤＲＡＭ龙头三星仍主导本季合约价持续涨价，在终端应用备货需求仍然强劲下，本季ＤＲＡＭ合约价估计涨幅可达百分之七至九。 南亚科总经理李培瑛接受专访时也证实，三大记忆体厂ＤＲＡＭ库存偏低，且预期南亚科本季ＤＲＡＭ合约价仍会涨价。 近期DRAM三大原厂与代工厂密集协商本季DRAM合约价，三星仍主导涨价，只是因大陆手机销售变数增加，冲击行动记忆体销售；绘图记忆体也因加密货币暴跌，使DRAM市场多了杂音，但整体市场如笔电、平板、云端伺服器、网通，和电竞市场等，需求仍强劲。 DRAM 现货价涨风再起

　　道琼社、Thomson Reuters报导，欧洲半导体设备业龙头ASML Holding NV财务长Peter Wennink 19日在摩根士丹利年度科技媒体电信(TMT)大会上表示，明年度半导体业的资本支出将增加，该公司客户的需求强劲使得前置时间达10个月。Wennink也预期明年度NAND市场将成长，逻辑、晶圆销售额将大幅扩增，不过DRAM销售额则将下滑。Wennink同时指出，将藉由买回自家股票与配发股利的方式把多余的现金返还股东。 ASML今年Q3的财报优于市场预期，本季度营收可望呈现季增状况，接单金额亦将高于Q3。ASML预定于2011年1月19日公布今年Q4财报。ASML竞争对手包括日本的Canon In

　　当地时间本周四，芯片制造商英特尔公司投资分部宣布，它将向中国台湾闪存芯片制造商力成科技(Powertech Technology)公司提供一笔6500万美元的风险投资。力成科技专注于NAND闪存和DRAM 储存芯片的生产。 英特尔投资公司称，为了帮助力成科技公司拓宽其闪存芯片业务运营，英特尔将与其他投资公司向力成科技提供资金投资。 英特尔称，作为力成科技公司最活跃的合作伙伴，英特尔投资分部在这次向力成科技公司进行投资中扮演了主要角色。 业界分析人士认为，英特尔此次向力成科技提供巨额资金，是闪存芯片制造行业竞争局面出现改观的一个迹象，同时表明力成科技在整个NAND闪存芯片行业的地位正在发生举足轻重的变化。 英特尔公司与美光科技的

　　翻译自——EEtimes 人工智能(AI)、车用芯片的复杂程度逐步递增，边缘处理比重也在增加，存储的选择、设计、使用模式及配置将会面临更大的挑战。因此，为了满足AI和机器学习应用程序的需要，位置（Location）越来越多地应用于数据需要驻留的地方和存储数据的内存。 在芯片、元件和系统之间移动以及处理优先处理顺序不明确的情况下，设计团队只能在合并和共享存储之间取得平衡以降低成本，或增加更多不同类型的存储来提升效能、降低功耗。 但这个问题不仅仅是内存供应商面临的挑战;其他AI利益相关者也在发挥作用，解决方案最关键的一部分是内存互联，即内存离计算越来越近。在人工智能硬件峰会内存互联的挑战和解决方案圆桌讨论上Rambu

　　国际研究暨顾问机构Gartner昨(17)日指出，初步统计结果显示，今(2017)年第二季全球个人电脑( PC )出货量总计6110万台，较去(2016)年第二季下滑4.3%。PC产业已持续5年处在低潮期，同时出货量已见连续11季下滑，而上季也是自2007年以来出货量最低的一季。 Gartner首席分析师北川美佳子(Mikako Kitagawa)指出，PC价格因 DRAM 、固态硬碟( SSD )、LCD面板等零组件缺货而上扬，进而对第二季PC需求造成明显负面冲击。而厂商因应零组件成本上扬的方式各有不同，有些厂商决定自行吸收价差而不调涨终端产品售价，但也有厂商把成本转嫁到最终产品售价。 北川美佳子进一步表示，在商用部门，厂商

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　　DRAMeXchange发表最新DRAM市场数据指出，DDR在现货市场缺货情况下，价格持续攀高。DDR 512Mb(64Mb*8) 400MHz则上涨至5.18美元，远超过DDR2颗粒价格。DDR 256Mb与DDR256Mb eTT颗粒分别上涨至2.65美元以及2.62美元。由于DRAM制造商产能持续转进90nm，因此DDR 256Mb颗粒生产数量将会持续减少，在Intel积极消化掉支持DDR的865芯片组后，DRAMeXchange预期在第四季DDR将成为“过气”产品，价格波动将趋缓。 反观DDR2部分，DDR2价格在DDR2 512Mb eTT上涨带动下，价格涨幅最高曾经达到18%，而近期已有通路商获利了结卖压出笼，D

　　据市场调研公司iSuppli的初步排名，去年第四季度以及全年，韩国三星仍然是全球最大的DRAM供应商，而尔必达公司(Elpida Memory)和海力士半导体则成为2006年DRAM产业中最耀眼的明星企业。其中，韩国海力士超越了奇梦达，在2006年第四季度和全年的排名均升至第二位。 第四季度海力士在全球DRAM销售额中所占的比例从第三季度的15.8%上升到19.2%，使其当季排名超越了德国的奇梦达，排名升至第二。由于代工伙伴Inotera的生产问题等原因导致出货量下降3%，第四季度奇梦达的销售额比第三季度下降2%。 海力士第四季度的出色表现，也使其2006年全年排名升至第二。在2006年全年，该公司在DRAM销售额中所

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